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京瓷晶振 |
标示 |
KC3225A-C3晶振 |
晶振基本信息对照表 |
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标准范围 |
f0 |
1.5MHz~125MHz |
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電源電圧 |
Vcc |
+3.3V |
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输出电流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=3.3V |
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频率负载 |
L_CMOS |
15pF |
CMOS 出力 |
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标准频率偏差 |
f_tol |
±25、±50、±100×10-6 max.
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初期偏差、 |
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输出电压 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
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对称 |
SYM |
40%~60% |
50% Vcc |
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标准时间 |
tr/tf |
12 ns max. |
10%Vcc~90%、L_CMOS=15pF |




1.晶体振荡器的内部电路使用C-MOS。闭锁、静电对策请和一般的C-MOS IC一样考虑。有些晶体振荡器没有和旁路电容器进行内部连接。使用时,请在Vdd-GND之间用0.01μF左右的高频特性较好的电容器(陶瓷晶振片状电容器等)以最短距离连接。关于个别机型请确认宣传册、规格书。
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