


CEOB2B晶振平台在行业动态中提到很多有关晶振的资料信息,并且有一个压电晶体技术资料的分类,可以从中查到任何你想了解的晶振产品解决方案以及技术资料,欢迎广大用户查看,下面CEOB2B介绍到的是使用石英晶振的必要知识点及描述。
支架:一个外壳,内有一块薄薄的石英晶体,带有真空蒸发的金属电极和用于连接的端子。
标称频率:这通常是指规范中给出的输入频率的标称值,其他频率可以参考该标称值。通常,标称频率表示中心频率(fo)或载波频率(fc)。
通带宽:衰减等于或小于指定值插入损耗的通带宽度。
停止带宽:衰减等于或大于指定值的停止带宽阻止带宽衰减。
纹波:纹波(通带中)是通带内最大和最小衰减之间的差值。
插入损耗:插入滤波器之前传递到负载阻抗的功率与插入滤波器后传递到负载阻抗的功率之间的对数比。
按照业内的通用分类,压电晶体大致可分为:石英晶振,陶瓷晶振两种。其中石英晶振中又有许多的小分类,如:无源晶体,有源晶振,圆柱晶振,贴片晶振等等。
使用传统AT切割晶体封装方法的音叉石英晶振亦能以4.1毫米×1.5毫米、3.2毫米×1.5毫米及2毫米×1.2毫米这样的小尺寸供货。目前主要的目标是将这类石英音叉的厚度推向0.4毫米或更薄,以供轻薄型产品使用。预计在几年后,即会出现需要更小尺寸石英晶体(1.6毫米×1毫米及1毫米×0.8毫米)的应用,而石英晶体制造商正对此进行相应准备。
石英晶振是利用晶体的压电效应制成的一种石英晶体振荡器。因为它具有高稳定性、高精度和低功耗等特点,被广泛应用于各种电器产品中。近年来,各生产企业为了在激烈的市场竞争中取得胜利,不断进行改善,提高产品的性能,降低产品的成本。本论文通过对离子刻蚀技术的探讨,对石英晶振的离子刻蚀频率微调进行研究。最后通过实验,明确了离子刻蚀频率加工时,刻蚀速度的设定,从而改善了离子刻蚀频率微调的加工工艺。使得加工效率和制品的良品率得到了很大的提高。
石英晶振作为一种震荡器经过了几十年的发展。由于它具有成本低、高Q值、高精度和高稳定度的特点,因此在电子领域中的作用一直不能被其它振荡器所替代。
并且随着电子信息产业为代表的应用领域不断发展和扩大,其自身也不断发展和变化。品种不断增多,有温度补偿式(TCXO晶振)、压控式(VCXO晶振)和恒温补偿式(OCXO晶振)等。尺寸也不断出大变小,现在最小贴片石英晶振的尺寸已达到22×14×1.0(m)。目前,各生产厂家为了不断提高竞争力,正在努力开发精度更高、成本更低、尺寸更小的石英晶振。
近几年来,对石英晶体元件的需求量逐年上升,每年约增长10%。到2010年, 约为105.04亿只。随着产品不断向小型化和片式化发展,石英晶振晶体元件也不断向这个方向发展。我国晶体行业近年来不断引进先进技术,促使该行业不断发展。生产设备及生产工艺不断提高,使中国成为晶体行业的主要生产基地。
2010年压电晶体出口值达到10.25亿美元。但由于市场竞争的激烈,产品价格不断下降,同时各种生产成本(包括产品的原材料、水、电和劳动力价格等)不断上升,使得该行业利润空间不断被压缩,造成了该行业的竞争异常激烈。为此,各生产企业都不断的追求生产效率的提高、成本的降低以及制品精度的提高。在贴片晶振,石英晶振生产过程中,离子刻蚀频率微调较大程度的影响着石英晶振的生产效率和制品的精度。
科学家最早发现一些晶体材料,如石英,经挤压就象电池可产生电流(俗称压电性),相反,如果一个电池接到压电晶体上,晶体就会压缩或伸展,如果将电流连续不断的快速开关,晶体就会振动.
在1950年,德国科学家GEORGE SAUERBREY研究发现,如果在石英晶体.贴片晶振,石英晶体振荡器的表面上镀一层薄膜,则晶体的振动就会减弱,而且还发现这种振动或频率的减少,是由薄膜的厚度和密度决定的,利用非常精密的电子设备,每秒钟可能多次测试振动,从而实现对晶体镀膜厚度和邻近基体薄膜厚度的实时监控.那么要如何控制这些石英晶振晶体薄膜的厚度呢?于是膜厚控制仪便出现了. 一台镀膜设备往往同时配有石英晶体振荡监控法和光学膜厚监控法两套监控系统,两者相互补充以实现薄膜生产过程中工艺参数的准确性和重复性,提高产品的合格率.
石英晶体法监控膜厚,主要是利用了石英晶体的两个效应,即压电效应和质量负荷效应. 石英晶体是离子型的晶体,由于结晶点阵的有规则分布,当发生机械变形时,例如拉伸或压缩时能产生电极化现象,称为压电现象.石英晶体在9.8×104Pa的压强下,承受压力的两个表面上出现正负电荷,产生约0.5V的电位差.
压电现象有逆现象,即石英晶体振荡器,石英晶振,贴片晶振,石英晶体在电场中晶体的大小会发生变化,伸长或缩短,这种现象称为电致伸缩.石英晶体压电效应的固有频率不仅取决于其几何尺寸,切割类型,而且还取决于芯片的厚度.当芯片上镀了某种膜层,使芯片的厚度增大,则芯片的固有频率会相应的衰减.石英晶体的这个效应是质量负荷效应.石英晶体膜厚监控仪就是通过测量频率或与频率有关的参量的变化而监控淀积薄膜的厚度.石英晶体俗称水晶,成份是SiO2,它不但是较好的光学材料,而且是重要的压电材料。石英晶振在常压下不同温度时,石英晶体的结构是不同的。温度低于573℃时,是a石英晶体;温度在573℃~870℃时,是B石英晶体;温度在870℃~1470℃时,是磷石英,温度达1470℃时,就转变成方石英,它的熔点是1750℃。用于制造压电晶体元件的为a石英晶体,石英晶振.
§1-1石英晶体的结晶形态和坐标系
固体可以分为结晶体(晶体)与非结晶体(非晶体)两大类。晶体中有外形高度对称的单晶体(如石英晶体)和由许多微细晶体组成的多晶体(如各种金属)。石英贴片晶振的主要特性是原子和分子的有规则排列,这种排列反映在宏观上是外形的对称性,而非晶体就不具备这种特性,例如石英玻璃,它的成份与石英晶体一样是SiO2,但不属于晶体。
晶体可以是天然的,也可以由人工培养。晶态物质在适当条件下,能自发地发展成为一个凸多面体形的单晶体。围成这样一个多面体的面称为晶面;晶面的交线称为晶棱;晶棱的会集点称为顶点。发育良好的单晶体,外形上最显著的特征是晶面有规则的配置,属于同一品种的石英晶振晶体,两个对应晶面(或晶棱)间的夹角恒定不变。图1.1.1给出了理想石英晶体的外形。石英晶体的晶面共30个,分为五组,六个m面(柱面),六个R面(大棱面),六个r面(小棱面)六个s面(三方双锥面),六个x面(三方偏方面),相邻m面的夹角为60°相邻m面和R面的夹角与相邻m面和r面的夹角都等于38°13,相邻s面与x面的夹角等于25°57。由于外界条件能使某一个或某一组晶面相对地变小或完全隐没,所以实际见到的石英晶体很少如图1.1.1所示,就是人造石英晶振,石英晶体振荡器,石英晶体的外形也只是接近理想情况。
(a)右旋石英晶体 (b)左旋石英晶体
图1.1.1石英晶体的理想外形
晶体内部结构的规律性,造成了它在外形上的对称性。例如:晶体可以有对称轴、对称中心、对称面等对称元素。石英晶振晶体存在一个三次对称轴(或三次轴即晶体绕该轴旋360°3后能够复原)和三个互成120°的二次轴,如图1.1.2中的a、b、d轴
图1.1.2石英晶体的对称轴和直角坐标系
在结晶学中,晶体的内部结构可以概括为是由一些“点子”在空间有规则地作周期的无限分布:“点子”代表原子、离子、分子或其集团的重心。这些“点子”的总体称为点阵,构成石英晶振,有源晶振,石英晶体的是二氧化硅分子,而二氧化硅分子的重心又正好与硅离子重合,因此硅离子的点阵就可以反映出石英晶体的内部结构。石英晶体的各层硅离子若按右手螺旋规则分布,则称为右旋石英晶体;若按左手螺旋规则分布,称为左旋石英晶体。从外形上看,右旋石英晶体的s面在R面的右下方或m面的左上方,左旋石英晶体的s面在R面的左下方或m面的右上方(见图1.1.1),它们互为镜象对称。
石英晶振晶体物理性质的各向异性和晶体外形的对称性有关,因此讨论石英晶体的物理性质时,采用为图1.1.2所示的直角坐标系较为方便。选c轴为z轴,a(或b、d)轴为x轴,与x轴、z轴垂直的轴为y轴。其指向按1949年IRE标准规定对左、右旋石英晶体均采用右手直角坐标系。
无论是科学家还是制造商采购商大家都对这种压电效应晶体制成的电子产品已经无法自拔,从而市场面临供不应求的趋势。各地的晶振生产商们掘地而起,我国很多很早就有的晶振厂家用独特的眼光、优质的生产工艺和强大的售后团队,至今依旧屹立在国产晶振行业的顶端。这些晶振厂家都做到了生产与销售为一体系,并且自己所生产的石英晶振、陶瓷谐振器、声表面谐振器、陶瓷雾化片等等电子元器件产品也都已经在全国各地有销售。不仅如此部分国内晶振生产厂商还同时取得了多个全球著名进口晶振品牌的代理资格。
石英晶体,有天然的也有人造的,是一种重要的压电晶体材料。石英晶体本身并非振荡器,它只有借示意图助于有源激励和无源电抗网络方可产生振荡。SMD晶振的主要应用市场包括无线通信领域、便携数码领域和汽车电子领域,其中以手机和数码产品的用量最大。
TEL: 0755-27876201- CELL: 13728742863
主营 :石英晶振,贴片晶振,有源晶振,陶瓷谐振器,32.768K晶振,声表面谐振器,爱普生晶振,KDS晶振,西铁城晶振,TXC晶振等进口晶振
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主营 :晶振,进口晶振,石英晶振,陶瓷晶振,贴片晶振,圆柱晶振,无源晶振,有源晶振,温补晶振,压控晶振,压控温补晶振,恒温晶振,差分晶振,雾化片,滤波器.

石英晶体振荡器的压电效应以及等效电路原理
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