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[压电石英晶体技术资料]独家解析石英晶振AT切型圆片外形的选择（二）2018年05月16日 09:13: 平面倒边石英片厚度的确定：当直径与厚度比45<Φ/t<60范围时，为了消除边缘效应的影响，石英晶振片的外形一般采用平面倒边。如图3.4.3所示，但目前实际生产中,当15<Φ/t<<60时,都采用平面倒边。由于其加工方法比平凸、双凸更方便，且能达到产品规格要求，石英片的厚度计算公式可用下列近似式计算。; 阅读（320）标签：

[压电石英晶体技术资料]独家解析石英晶振AT切型圆片外形的选择（一）2018年05月16日 08:47: 圆片外形选择单主要依据Φ/t的大小而定。一般在Φ/t<15时,采用双凸片。实践证明，采用改变曲率半径的方法，可以获得满足技术要求的性能，因此，在生产上为了便于管理，往往只选取少数几种直径规格，然后，根据需要采用不同的曲率半径,双凸石英晶振片的优点是：边缘效应小，振动活力高，能抑制其它耦合作用。缺点是加工复杂，率温度特性曲线的一致性较差，不宜于大量生产。; 阅读（131）标签：

[压电石英晶体技术资料]哪些因素会影响AT切型晶振频率温度特性2018年05月15日 08:43: 1.切角φ1的影响，当AT切型晶片的外形确定后,改变晶振频率温度特性的最有效的办法是改变石英晶振晶片的切角。因此,可根据不同的工作温度要求及温度频差,然后再设计所需的切角。

2.晶片尺寸的影响，当晶片的厚度t变薄时,频率温度特性曲线要往正方向移动,如果欲保持频率温度特性不变,则需要适当地增大切角。当圆形晶片的直径减小时,频率温度特性曲线也要向正方向移动,如果欲保持频率温度特性不变,也需要适当地增大切角。当双凸、平凸晶片的曲率半径R减小时,频率温度特性曲线要向负方向移动,如果欲保持频率温度特性不变,则应适当地减小切角。; 阅读（258）标签：

[关于我们]高要求无人机晶振和无人机普及领域2018年05月14日 11:56: 无人机内部使用的石英晶振，目前全部采用日本进口KDS晶振的陶瓷面贴片石英晶振，石英晶体谐振器DSX321G的8.000MHz晶振,KDS晶振的产品料号为1C208000BCOU晶振。; 阅读（89）标签：无人机晶振|DST321G晶振

[压电石英晶体技术资料]石英晶振在生产过程需要注意事项2018年05月14日 10:51: 石英晶振是大多数电子产品的主要,在每个生产过程及工艺都相当重要.石英晶振片表面质量要好,光洁度要高,严禁砂痕,沙坑等缺陷.腐蚀量要合适,且均匀,研磨时要保证研盘的平面平行度,平面度,以及上下研盘的吻合度.研磨时要注意换砂周期,一般不要超过5次.; 阅读（158）标签：石英晶振|石英晶振在生产过程需要注意事项

[压电石英晶体技术资料]石英晶振片切角的确定(二)2018年05月14日 09:40

在确定石英晶振片切角误差时,还应对照图3.2.5曲线,估计有无加工的可能性。对于AT切由XX’角误差引起的ZZ’角之测试误差见图3.2.6

【例】对于HC-49U/s-SMD-8000KHlz规格进行晶振频率温度特性测试,并修正切角。

(1) 其石英片规格为石英片长度Lx=7.995mm,Wz=1.985mm,最后滚倒频率为fG=7865±15KHz,石英片厚度tG=0.212mm,平台长轴LX=5.77mm,倒边半径R=60mm,留边量t0≤0.08mm,切型切角为AT35°13’±1’。

阅读（146）标签：

[压电石英晶体技术资料]石英晶振片切角的确定(一)2018年05月14日 08:54: CEOB2B晶振平台提供各种石英晶振,贴片晶振,石英晶体谐振器等晶体元件的规格型号查询以及下载等服务.为了更好的服务于用户,CEOB2B晶振平台每天更新晶振资讯以及晶振技术资料,欢迎下载收藏,以便后续使用.
1、首先按经验初步选择一个角度,例如AT35°13’。
2.根据工作温度范围(OTR)、温度频差?f/f︱OTR及f/T特性曲线簇图确定理论切角误差,见图3.2.4及表3.2.2,一般实际误差比理论误差小±0.5′~±1.5′,这要根据石英晶振片加工过程中切角的离散度来定。; 阅读（191）标签：

[关于我们]兆赫晶振SMD型封装性能介绍2018年05月12日 10:05: 贴片石英晶振一直在不断进化中，这不仅体现在SMD晶振的外观上，它的电气性能也越来越好。尺寸封装有日系品牌NDK晶振中的MHZ晶体单元中，最小的贴片晶振封装1.2*1.0*0.25mm的1210石英晶体，不仅长度最小厚度也是最薄的。石英晶振的电气性能变化主要体现在需要高要求的有源晶振上，对大多采购商而言有源晶振使用的还是进口晶振品牌多一些。; 阅读（87）标签：兆赫晶振|贴片晶振

[压电石英晶体技术资料]有关石英晶振各级温度系数与切角的关系2018年05月12日 09:34

一级、二级、三级温度系数a0、b0和c0不仅与参考温度有关，而且还与石英晶振切角有关。AT切型的a0、b0、c0随角度的变化率为：

αa0/αφ1=-5.15×10-6/oC度；

αb0/αφ1=-4.7×10-9/oC2度；

αc0/αφ1=2.0×10-12/oC3度；

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[压电石英晶体技术资料]频率温度特性曲线与特性方程2018年05月12日 09:06: 石英晶振作为一个频率元件，当然频率是至关重要的一项指标，频率直接影响着一个产品的是否优良性能，更是直接决定使用在哪方面领域的一个指标。下面CEOB2B晶振平台给大家介绍关于晶振的频率温度曲线和特性方程。; 阅读（136）标签：石英晶振|石英晶振频率特性及方程

[关于我们]插卡音响为什么没有被淘汰因为它请了贴片晶振来助阵2018年05月11日 09:29: 但是石英晶振到是有所变化，插卡音响使用了贴片晶振，24.000MHZ，4.000mhz以及32.768K时钟石英晶振，32.768K时钟石英晶振在这里面起到的作用是收音机调频控制，以及外置两个高品质喇叭，功放控制系统。; 阅读（125）标签：32.768K贴片晶振|SMD石英晶振

[压电石英晶体技术资料]石英晶振的压电常数与切型独家讲解2018年05月11日 08:54

CEOB2B晶振平台以下给大家介绍的是有关石英晶振的压电常数与切型,在前面的文章中我们有提到过石英晶振切型的选择与弹性常数,欢迎需要了解的新老用户登入平台查看.

石英晶体元件是通过逆压电效应进行工作的，所以切型设计与压电常数有关。通过上节讨论，我们已经知道石英晶体压电常数矩阵为：

阅读（597）标签：

[压电石英晶体技术资料]探讨石英晶振的压电方程公式2018年05月11日 08:52: 石英晶振的弹性性质所遵循的力学规律是用弹性方程来表达的。弹性方程反映了应力张量T与应变张量S之间的线性关系。同样，晶振的压电性质所遵循的机电规律是用压电方程来表达的，压电方程反映了D、E、T、S四个量之间的线性关系。; 阅读（130）标签：石英晶振|探讨石英晶振的压电方程公式

[压电石英晶体技术资料]石英晶振逆压电效应如何表示2018年05月10日 10:16: 石英晶振的逆压电效应由上述讨论可知，既然形变能使压电晶体的电偶极矩发生变化，那么电偶极矩的变化也能使之产生形变。逆压电效应就是在电场的作用下，电偶极矩发生变化的同时产生形变。我们已经知道，石英晶体的正应变S1，S2和切应变S4。都能使电偶极矩在x方向分量发生变化。; 阅读（140）标签：石英晶振|石英晶振逆压电效应如何表示

[关于我们]爱普生晶振常用差分输出振荡器参数介绍2018年05月10日 10:01: 石英晶振有源化，一些高端的产品以目前的技术条件下，是绝对离不开有源晶振的，比如一些网络交换仪，或者是通讯产品，通信的基站等等，随着移动通信产品使用的人越来越多，基站也得到大批量的增加，所以有源晶振也从最初的普通-20--+70度普及到现在的-40度-85度之间，甚至更高的要求，至此日本爱普生株式会社在技术上不断的提升，使自身产品得到市场广大的认可！; 阅读（178）标签：爱普生晶振|差分输出振荡器

[压电石英晶体技术资料]石英晶振的压电性质分析之晶振的正压电效应讲解2018年05月10日 09:46: 当石英晶体受到应力作用时，在它的表面上出现电荷，而且应力与面电荷密度之间存在线性关系，这个现象称为正压电效应。而当石英晶振受到电场作用时，在它的某些方向出现应变，而且电场强度与应变之间存在线性关系，这个现象称为逆压电效应。本节主要介绍石英晶体的结构与压电性质：正压电效应表达式和逆压电效应表达式。; 阅读（87）标签：

[关于我们]从实例49型石英晶振看音叉晶振所具特性2018年05月09日 10:00: 在石英晶振这个大类中虽说现在主流是贴片晶振，但仍不可否认那些插件音叉晶振曾经的辉煌，有些现在依旧在SMD晶振的大流中屹立不倒。这里透露一个小秘密好了，其实大家经常购买的49SMD晶振和49S音叉晶振是同一个，49SMD是由49S音叉晶振直接弯角加工而成的，也就是说实际上并没有什么49SMD晶振，一直大都是49S音叉晶振，因此我们一般业务人员常常戏称它为假贴片晶振。; 阅读（96）标签：49SMD贴片晶振|49S石英晶振

[新闻动态]石英晶体振荡器的电气原理及时钟代码公式2018年05月09日 09:44: 能够产生振荡电流的电路叫做振荡电路。一般由电阻、电感、电容，石英晶振等元件和电子器件所组成。由电感线圈l和电容器c相连而成的lc电路是最简单的一种石英晶体振荡器振荡电路，其固有频率为f=[sx(]1[]2πlc; 阅读（157）标签：石英晶体振荡器|石英晶体振荡器的电气原理及时钟代码公式

[压电石英晶体技术资料]ILSI晶振集团MEMS和石英晶体振荡器的冲击和振动性能比较（二）2018年05月08日 09:25: 上一篇文章我们讲了ILSI晶振集团MEMS和石英晶体振荡器的冲击和振动性能比较,接下来我们讲分析实验后得出的结果.CEOB2B晶振平台在这里你可以找到来自海内外各款项品牌晶振,为你解决采购选型一切烦恼.; 阅读（94）标签：

[压电石英晶体技术资料]ILSI晶振集团MEMS和石英晶体振荡器的冲击和振动性能比较（一）2018年05月08日 08:50: 所有电子产品在使用期间都会受到冲击和振动,包括石英晶振,贴片晶振产品.从口袋或背包中携带的移动消费产品所经历的运动到工业设备或航空航天应用的高振动水平,力量范围可以不一样.即使是建筑物中的静止产品也可能会受到附近风扇或其他设备的振动.因此,重要的是要考虑电子元件在冲击和振动情况下的表现.表1显示了各种环境下的典型加速度水平.; 阅读（243）标签：

记录总数：2536 | 页数：127 <... 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 ...>

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