





CX3225GB18432P0HPQCC无源晶振CX2520DB32000D0WZRC1石英晶体谐振器CX3225GB14318P0HPQZ1石英晶体谐振器KC7050P125.000L20E00差分有源晶振KC7050Y156.250P30EZU京瓷差分晶振CT1612DB38400C0FLHA1晶振CX2016DB19200H0KFQC1无源晶振CX3225GB12000D0HPQZ1无源晶振CT2016DB19200C0FLHA1晶振CX3225SB24000H0FLJCC进口晶振CX3225CA12000D0HSSCC京瓷贴片晶振CX2016DB24000D0FLJC6石英晶体谐振器KC2016K18.4320C1GE00进口贴片晶振KC2520K27.0000C1GE00有源晶振KC3225K14.3182C1GE00石英晶振KC7050P125.000L30E00差分晶振KC7050P155.520L30E00贴片晶振KC7050P150.000L20E00贴片晶振KC7050Y125.000P20EZU差分输出晶振KC5032A4.00000CMGE00京瓷晶振KC2520C24.0000C1LE00有源晶振KC3225K32.0000C1GE00石英晶体振荡器KC3225A125.000C3GE00进口有源晶振KC3225K40.0000C1GE00晶振KC7050P155.520L30E00贴片晶振KC7050Y125.000P20EZU差分输出晶振CX3225SB38400H0FLJCC进口SMD晶体CX2520DB13560D0GPSC1无源晶振ST3215SB32768H5HPWAA晶振CX3225GB19200P0HPQZ1晶振CX2016DB26000D0FLJCC进口晶振CX2520DB26000H0FLJC2贴片晶振KC2520B4.00000C1GE00进口晶振KC3225K24.5760C10E00石英晶振KC3225K32.7680C1GE00带电压晶振KC3225K22.5792C1GE00带电压晶振KC2016K22.5792C1GE00进口有源晶振KC5032A4.00000CMGE00京瓷晶振
KC2520C24.0000C1LE00有源晶振KC7050T312.500L30E00差分输出晶振KC7050T200.000P30E00京瓷晶振KC7050A18.4320C3GE00石英晶体振荡器KC7050K7.37280C1GE00进口晶振CX2016DB38400C0WPLA2进口贴片晶振KC2016K18.4320C1GE00晶振KT2520F38400DEV30TAK有源晶体振荡器KC2520B12.0000C1GE00有源晶体KC3225K22.5792C10E00日本有源晶振CX3225GB38400D0HPQCC石英晶体谐振器KC2520B12.0000C1GE00有源晶体CX3225GB18432D0HEQCC贴片晶振CX3225GB38400P0HPQZ1贴片晶振CX3225SB48000D0FPJC2进口SMD晶体KC7050T156.250P20E00日本进口晶振ST3215SB32768B0HSZA1石英晶振KC7050Y250.000L20EZU贴片晶振KC7050P156.250L20E00日本进口晶振KC7050Y200.000P20EZU京瓷晶振KC7050P100.000P30E00石英晶体振荡器KC5032K33.3333C1GE00京瓷有源晶振KC7050K8.00000C1GE00有源晶振CX2520DB12000D0GPSC1石英晶振CX2016DB27120B0HLLC1贴片晶振CX2520DB19200D0GPSC1日本京瓷晶振CX2016DB24000D0FLJC6石英晶振CX3225GB38400D0HPQCC石英晶体谐振器CX3225GB18432D0HEQCC贴片晶振CX3225GB38400P0HPQZ1贴片晶振CX3225SB48000D0FPJC2进口SMD晶体KC3225K32.0000C1GE00石英晶体振荡器KC3225A125.000C3GE00进口有源晶振CX3225SB38400D0FLJCC京瓷贴片晶振CX2520DB12000D0GPSC1石英晶体谐振器CX3225SB14745H0KPQCC石英晶体谐振器CX3225GB10000D0HPQZ1石英晶体谐振器CX2520DB16000D0GEJCC进口SMD晶体CX2016DB19200H0KFQC1小体积贴片晶振KC7050T250.000L30E00日本进口晶振KC7050T200.000P20E00京瓷晶振KC7050P150.000L20E00京瓷有源晶振KC5032K27.0000C1GE00石英晶体振荡器CX3225CA13560D0HSSZ1无源晶振CX3225SB16000D0FPLCC小体积贴片晶振CX2520DB19200H0KFQC2日本进口晶振
KT5032F12800KAW33TAA有源晶振KC2520B16.0000C10E00进口贴片晶振KC7050A33.3333C3GE00京瓷晶振KC2016K8.00000C1GE00进口贴片晶振KT2016A26000ACW18TLG进口晶振KC2520B16.0000C1GE00晶振KT2520F38400DEV30TAK有源晶体振荡器KC2520B12.0000C1GE00有源晶体KC3225K22.5792C10E00小体积贴片晶振CX2016DB38400C0WPLA2进口贴片晶振CX2520DB32000D0FLJZ1进口贴片晶振CT2520DB19200C0FLHAF石英晶振CX3225SB27000H0FLJCC京瓷贴片晶振CX3225CA24000D0HSSCC晶振KC2520B4.00000C1GE00进口晶振CX2520DB27000D0FLJC1进口贴片晶振CX3225SB12000D0GZJC1日本京瓷晶振KC7050P125.000L20E00日本进口晶振CX2520DB32000D0FLJZ1进口贴片晶振KC7050A33.3333C3GE00京瓷晶振KC3225K22.5792C10E00小体积贴片晶振KC5032K28.6364C1GE00晶振CX3225GA24000D0PTVZ1石英晶体谐振器CX2520DB16000D0WZRC1晶振KC7050A32.0000C3GE00日本进口晶振KC7050T200.000P20E00京瓷差分晶振KC7050P156.250P30E00差分输出晶振CX3225CA30000D0HSSZ1小体积贴片晶振CX3225SB40000D0FPLCC日本京瓷晶振KC3225K24.5760C10E00石英晶振KC3225K32.7680C1GE00带电压晶振CX3225SB32000D0FFFCC进口贴片晶振CX3225GB16000P0HPQZ1进口贴片晶振KC3225K12.2880C1GE00有源晶体KC3225K14.7456C1GE00进口有源晶振KC7050T250.000L30E00日本进口晶振KC7050Y200.000P30EZU差分晶振KC7050P156.250P30E00差分输出晶振KC7050Y200.000P30EZU差分晶振
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当离子枪使用时间过长使离子枪内部积碳、操作员在清扫真空腔时有异物掉入离子枪内、或因为离子枪冷却不良都会造成离子枪出力不稳定,使不良品数量增加。例如,如图4-1l1所示,当离子枪工作正常,出力稳定时,离子枪的实际刻蚀速度(设备根据设定的各参数计算出离子枪beam电压、放电电流并供给离子枪。离子枪在获得这些电压、电流后实际输出的离于束,对石英晶振晶片刻蚀的速度。
当离子枪工作不正常时,实际工作电压、电流也会与计算值产生很大偏差,因此就不能获得相应电流密度的离子束,使得刻蚀速度发生变化)等于设定的速度时,设备根据加工前测定的频率和设定的刻蚀速度计算出的加工时间与实际需要加工的时间相等,经过该时间的加工后可以达到目标频率。当离子枪的实际刻蚀速度大于设定的速度时,则计算出的加工时间大于实际需要加工的时间,此时,经过该时间的加工后,频率必然大于目标频率,而产生F+不良。
离子枪出力不稳定的处理方法
在实际生产中,离子枪的工作状态会逐渐变差。因此操作员遇到少量不良品的出现,不会意识到离子枪已发生异常,而是调整一些参数继续生产,直到出现大量不良品,通过调整参数也无法进行生产时才联系维修人员进行修理和保养。这样,不但会使离子枪长期处于不安定的状态,而且经常出现不良品。为此,本文通过前面的理论知识,利用公式(4.2)和(4.3)针对A品种的石英贴片晶振制作了一个简单的程序,界面如图4-12。
当操作元将制品放入设备中共,开始刻蚀加工时,只要输入设备仪表上的监控电压和电流,就可以知道现在的离子束刻蚀速度。只要与设定的刻蚀速度比较一下,当两速度相差较大时,便可知道离子枪已工作在不安定状态,应及时联系维修人员进行维修或保养。这样可以避免大量不良品的发生。
KSS晶振为世界领先的石英晶体频率元件制造商,除了生产石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器,有源晶振,旗下事业还包括机器,零件,设备,原料等多方面.京瓷晶振在产品中使用具有体积小,超薄小,精度稳定等特点.并且频率选用范围广,参数多选,满足各行各业的产品需求,为用户提供了更多便利.
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石英晶体振荡器的压电效应以及等效电路原理
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