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[压电石英晶体技术资料]石英晶体的动态电容2018年05月15日 10:29: 石英晶体与空气的摩擦(表面损耗)形成的阻力有关。可通过对外盒抽真空以减小损耗,与温补晶振表面微粒间的摩擦有关。可提高石英片表面光洁度,控制腐蚀量,减小砂痕、沙坑、提高银层的牢固度及整体性来减小,与贴片晶振的内摩擦,自由振动时内部晶格的变化,产生内应力及加工过程中形成的内应力而引起内部损耗有关。; 阅读（87）标签：石英晶体|石英晶体的动态电容

[压电石英晶体技术资料]石英晶振片切角的确定(二)2018年05月14日 09:40

在确定石英晶振片切角误差时,还应对照图3.2.5曲线,估计有无加工的可能性。对于AT切由XX’角误差引起的ZZ’角之测试误差见图3.2.6

【例】对于HC-49U/s-SMD-8000KHlz规格进行晶振频率温度特性测试,并修正切角。

(1) 其石英片规格为石英片长度Lx=7.995mm,Wz=1.985mm,最后滚倒频率为fG=7865±15KHz,石英片厚度tG=0.212mm,平台长轴LX=5.77mm,倒边半径R=60mm,留边量t0≤0.08mm,切型切角为AT35°13’±1’。

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[压电石英晶体技术资料]如何确定石英晶体各级温度系数（二）2018年05月14日 08:52: 除了用频率温度特性来描写晶体元件的温度特性外,还经常用频率温度系数来表示石英晶体元件的温度特性,各级频率温度系数的数值,以及这些系数随切角的变化率,将表中有关数据代入下式,即可作出所需的频率温度特性曲线.ceob2b晶振平台一一给您讲解
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div>; 阅读（116）标签：石英晶体|石英晶体频率稳定曲线方程图

[压电石英晶体技术资料]频率温度特性曲线与特性方程2018年05月12日 09:06: 石英晶振作为一个频率元件，当然频率是至关重要的一项指标，频率直接影响着一个产品的是否优良性能，更是直接决定使用在哪方面领域的一个指标。下面CEOB2B晶振平台给大家介绍关于晶振的频率温度曲线和特性方程。; 阅读（116）标签：石英晶振|石英晶振频率特性及方程

[压电石英晶体技术资料]AT切型石英晶体元件的频率方程和频率常数2018年05月12日 08:49: 晶振晶片的长度方向与X轴平行，厚度方向与Y轴平行。它的振动模式有两种激励方法：在Y方向的电场E2作用下，通过压电常数e'26和弹性刚度常数c'66，在Z'面上产生厚度切变振动，这种激励方式称为垂直场激励；在Z'方向的电场E'3作用下，通过压电常数e'36和弹性刚度常数c'66，在乙面上产生厚度切变振动，这种激励方式称为平行场激励。由于垂直场的设置比平行场的设置方便的多，因此，生产上通常都采用垂直场的激励方法。; 阅读（313）标签：

[压电石英晶体技术资料]石英晶振的压电常数与切型独家讲解2018年05月11日 08:54

CEOB2B晶振平台以下给大家介绍的是有关石英晶振的压电常数与切型,在前面的文章中我们有提到过石英晶振切型的选择与弹性常数,欢迎需要了解的新老用户登入平台查看.

石英晶体元件是通过逆压电效应进行工作的，所以切型设计与压电常数有关。通过上节讨论，我们已经知道石英晶体压电常数矩阵为：

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[压电石英晶体技术资料]探讨石英晶振的压电方程公式2018年05月11日 08:52: 石英晶振的弹性性质所遵循的力学规律是用弹性方程来表达的。弹性方程反映了应力张量T与应变张量S之间的线性关系。同样，晶振的压电性质所遵循的机电规律是用压电方程来表达的，压电方程反映了D、E、T、S四个量之间的线性关系。; 阅读（126）标签：石英晶振|探讨石英晶振的压电方程公式

[压电石英晶体技术资料]石英晶振逆压电效应如何表示2018年05月10日 10:16: 石英晶振的逆压电效应由上述讨论可知，既然形变能使压电晶体的电偶极矩发生变化，那么电偶极矩的变化也能使之产生形变。逆压电效应就是在电场的作用下，电偶极矩发生变化的同时产生形变。我们已经知道，石英晶体的正应变S1，S2和切应变S4。都能使电偶极矩在x方向分量发生变化。; 阅读（129）标签：石英晶振|石英晶振逆压电效应如何表示

[关于我们]爱普生晶振常用差分输出振荡器参数介绍2018年05月10日 10:01: 石英晶振有源化，一些高端的产品以目前的技术条件下，是绝对离不开有源晶振的，比如一些网络交换仪，或者是通讯产品，通信的基站等等，随着移动通信产品使用的人越来越多，基站也得到大批量的增加，所以有源晶振也从最初的普通-20--+70度普及到现在的-40度-85度之间，甚至更高的要求，至此日本爱普生株式会社在技术上不断的提升，使自身产品得到市场广大的认可！; 阅读（175）标签：爱普生晶振|差分输出振荡器

[新闻动态]石英晶体振荡器的电气原理及时钟代码公式2018年05月09日 09:44: 能够产生振荡电流的电路叫做振荡电路。一般由电阻、电感、电容，石英晶振等元件和电子器件所组成。由电感线圈l和电容器c相连而成的lc电路是最简单的一种石英晶体振荡器振荡电路，其固有频率为f=[sx(]1[]2πlc; 阅读（122）标签：石英晶体振荡器|石英晶体振荡器的电气原理及时钟代码公式

[关于我们]一起动手—万能晶振检测仪2018年05月08日 14:58: 用一般的万用表是不能测出晶振的好坏的，这里提供了一种简单而实用的晶振检验器，它只采用一个 N 沟道结型场效应管（FET），两个普通 NPN 小功率晶体三极管，一个发光管和一些阻容元件，便可有效的检验任何晶振的好坏。; 阅读（42）标签：晶振检测|晶振好坏

[新闻动态]MEMS振荡器测试系统现状及未来展望（一）2018年05月08日 09:18: MEMS振荡器产品制造与经典的IC 最大区别在于其含有机械部分，封装环节占整个器件成本的大部分，如果在最终封装之后测出器件失效不但浪费成本，还浪费了研究和开发（R&D）、工艺过程和代工时间，因此，MEMS产品的晶圆级测试在早期产品功能测试、可靠性分析及失效分析中，可以降低产品成本和加速上市时间，对于微机电系统产业化非常关键。; 阅读（61）标签：MEMS振荡器|MEMS振荡器测试系统现状及未来展望

[压电石英晶体技术资料]ILSI晶振集团MEMS和石英晶体振荡器的冲击和振动性能比较（一）2018年05月08日 08:50: 所有电子产品在使用期间都会受到冲击和振动,包括石英晶振,贴片晶振产品.从口袋或背包中携带的移动消费产品所经历的运动到工业设备或航空航天应用的高振动水平,力量范围可以不一样.即使是建筑物中的静止产品也可能会受到附近风扇或其他设备的振动.因此,重要的是要考虑电子元件在冲击和振动情况下的表现.表1显示了各种环境下的典型加速度水平.; 阅读（234）标签：

[关于我们]SII精工集团32.768K领域中标杆般的存在2018年05月07日 10:22: 外观尺寸方面，精工晶体最早采用SMD模式，而且精工晶体产品基本被高端主流电子产品采用，好比全球最小的一颗32.768K插件晶体1.2*4.7mm，率先被广泛使用到MP3，MP4等电子产品，贴片晶振SSP-T7-F这颗料，被疯狂的使用于移动手机，智能手机，触摸笔记本等较高端的产品。精工晶体！精工品质！; 阅读（54）标签：SII精工集团|32.768K

[新闻动态]设计PCB布局需考虑到的石英晶振2018年05月07日 09:44: 振荡电路中信号图案长度应尽可能短，尽可能减少杂散电容/电感。不应在振荡电路中使用插孔，否则会引起很大的EMI。接地或是信号通道不应置于多层电路板的中间层，从而与振荡电路重叠，因为这样一来，地面和石英晶振振荡电路间的杂散电容将会增加。; 阅读（197）标签：晶振|设计PCB布局需考虑到的石英晶振

[压电石英晶体技术资料]MEMS与石英晶体振荡器的电磁敏感性比较（二）2018年05月07日 09:24: 相位噪声分析仪捕捉每个被测器件的相位抖动和相位噪声.在感应电磁场的影响下,如图4所示,相位噪声曲线将显示更明显的寄生噪声或相位杂散,其频率与电磁干扰的频率相混淆.高幅度相位噪声杂散图4所示石英晶体振荡器的-50dBc/Hz集中在与感应EMI噪声频率对应的混叠相位噪声杂散频率处.这些杂散随着EMI噪声频率的变化而变化,对整个频率扫描范围内的平均功率具有累加效应.次级噪声杂散幅度低得多,对整体相位噪声影响不大.; 阅读（74）标签：

[新闻动态]制造有源晶振的内部结构和振荡条件原理2018年05月05日 09:52: 海外的晶振厂家完整的制造一颗有源晶振需要花费大量的物力,人力和财力,需要经过几十道层层严格的工序.一般在交付给客户之前,都会进行搞冲击,老化,起振,稳定性等十几项测试.石英晶体振荡器用多了许多客户就有点好奇,贴片有源晶振的内部结构是怎么样的?以及振荡前需要哪些条件,工作的原理又是什么?这些问题CEOB2B晶振平台都会一一解答,并且会附上图片,更方便大家理解.; 阅读（180）标签：

[关于我们]了解一下商业巨头对晶振行业有什么独特见解2018年05月05日 09:47: 石英晶体振荡器与石英晶体谐振器都是提供稳定电路频率的一种电子器件。石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应来起振，而石英晶体谐振器是利用石英晶体和内置IC共同作用来工作的。在通信系统产品中，石英晶体振荡器的价值得到了更广泛的体现，同时也得到了更快的发展。许多高性能的石英晶振主要应用于通信网络、无线数据传输、高速数字数据传输等。; 阅读（53）标签：石英晶体振荡器|石英晶体谐振器

[压电石英晶体技术资料]美国ILSI石英晶体振荡器频率测量指南2018年05月05日 09:28

每个数字电子设备都需要一个参考时钟,晶体振荡器被广泛用于实现这一目的.验证高性能器件的频率特性需要准确的频率测量.本文档概述了各种晶振频率测量方法和仪器,旨在帮助ILSI MMD MEMS振荡器的用户进行精确的频率测量.

常见的石英晶振频率测量问题

用不同频率计数器进行的测量不匹配

不同频率计数器测量结果之间的差异可能是由以下一个或多个原因引起的.

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[新闻动态]SITIME硅晶振制作工艺过程2018年05月05日 09:11: 在结构加工成形后,通过选择腐蚀的方法将牺牲层腐蚀掉，使结构材料悬空于基片之上，形成各种形状的二维或三维结构。表面SITIME硅晶振MEMS加工技术工艺成熟，与IC工艺兼容性好，可以在单个直径为几十毫米的单晶硅基片上批量生成数百个MEMS装置。; 阅读（493）标签：SITIME硅晶振|SITIME硅晶振制作工艺过程

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