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贴片晶振 :: 5070晶振; 6035晶振; 5032晶振; 3225晶振; 2520晶振; 2016晶振; 1612晶振; 1210晶振; 8045晶振

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: 陶瓷晶振,陶瓷谐振器,CFWM455E晶振

频率：455KHZ 尺寸：9.5*4.3mm 千赫子压电陶瓷谐振器片状型产品,一般电子产品用标准频率公差型,利用本公司独创的封装技术,实现了千赫频率“陶瓷谐振器”.该系列非常适合用于微型遥控装置和AV模块中.可采用回流焊接,可使用自动贴片机高速自动贴装焊接,被公司CRB系列低频陶瓷谐振器系列已批量生产,常规型号长期被有现货.
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: 陶瓷晶振,声表面滤波器,CFTM455E晶振

频率：450KHZ 尺寸：8*9mm 插件三脚陶瓷晶振跟贴片的区别在于SMD是编带方式包装,焊接方面支持表面贴装,可对应产品应用到自动贴片机高速安装,是指晶振内部本身有自带负载电容的陶瓷些振器, “压电陶瓷”, 与CR,LC电路不同,陶瓷振荡子利用的是机械谐振而不是像压电石英晶体一样电谐振的方式起振.
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: 陶瓷晶振,插件陶瓷谐振器,CRB455E晶振

频率：190kHz-1250kHz 尺寸：7*9mm 在那个时期就光CRB455E这一个型号产品就养活着中国千万劳动力，因为这个器件几乎所有的工序都是人工组装而成的。陶瓷谐振器，是一种压电元器件，类似于石英晶体，可以把电能转换为机械能，也可以把机械能转换为电能。具有对激励信号频率十分敏感的突出特点，当外加的交流电场的频率和谐振器的谐振频率发生共振时，电能和机械能的转换会发生在谐振器的谐振频率上。
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: 陶瓷晶振,陶瓷插件晶振,455C28晶振

频率：2KHZ-50MHZ 尺寸：5*7mm 因为目前IC芯片发展的迅速，部分插件的陶瓷谐振器要么被集成，要么陶瓷谐振器精度不够，被石英晶振取代，所以现在现在陶瓷晶振正处于下滑阶段，产量以及用量在逐步缩小，陶瓷谐振器具有对激励信号频率十分敏感的突出特点，当外加的交流电场的频率和谐振器的谐振频率发生共振时，电能和机械能的转换会发生在谐振器的谐振频率上。
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: 陶瓷晶振,陶瓷谐振器,SMD455E晶振

尺寸：7.2*6.5MM 频率：1.00MHZ~15.00MHZ 千赫子压电陶瓷谐振器片状型产品,一般电子产品用标准频率公差型,利用本公司独创的封装技术,实现了千赫频率“陶瓷谐振器”.该系列非常适合用于微型遥控装置和AV模块中.可采用回流焊接,可使用自动贴片机高速自动贴装焊接.
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: 微晶晶振,压控晶振,VCXO2E晶振

尺寸:5.0*3.2mm 频率:5 to 40MHz 5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）.
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: NDK晶振,32.768K晶振,NX3215SE晶振

频率：32.768KHZ 尺寸：3.2*1.5mm 贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
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: 微晶晶振,石英晶体振荡器,MCSO6E晶振

尺寸:3.5*2.2mm 频率: 10kHz up to 155 MHz 3522mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）。
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: 微晶晶振,石英晶体振荡器,MCSO2E晶振

尺寸:5.0*3.2mm 频率: 10kHz~225MHz 5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）。
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: 微晶晶振,石英晶体振荡器,MCSO1E晶振

尺寸:8*4mm 频率:20 to 100MHz 贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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: 微晶晶振,有源晶振,VCXO2E晶振

尺寸:5.0*3.2mm 频率:5MHz~40MHz 5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）.
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: NSK晶振,石英晶振,NXE晶振

频率：3.579545MHZ ~ 100.000MHZ 尺寸：12.3*4.8mm 普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
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[压电石英晶体技术资料]SITIME晶振集团为解决可穿戴技术推出32.768K计时解决方案2018年09月15日 11:36: 随着移动互联网的发展、技术进步和高性能低功耗处理芯片的推出等，部分穿戴式设备已经从概念化走向商用化，新式穿戴式设备不断传出，诸多科技公司也都开始在这个全新的领域深入探索。这也就让更高性能的适用于穿戴式领域的32.768K出世为满足市场上的需求。在可穿戴市场中，产品的功能越来越多，同时它们必须消耗更少的能量和空间。SITIME晶振32.768KkHzMEMS计时解决方案可用于真正的每秒脉冲(PPS)计时、RTC参考计时和电池管理计时，以延长电池寿命和缩小占地面积。; 阅读（360）标签：可穿戴设备晶振|SiTime晶振|32.768K

[关于我们]专为工程提供的SiTime晶振技术型问答题2018年08月23日 10:51: SITIME晶振是全球排名第一硅晶振荡器科研开发和生产商,专注MEMS可编程领域的有源晶振和谐振器系列,自从多年前成功推出了成本缩减50%的可编程振荡器后,在业界名声大振,一石激起千层浪瞬间引发行业舆论,热度久久散不去,推动了硅晶振的发展.拥有一百多项技术专利的SiTime晶振公司,从2005年开始就致力于MEMS可编程晶振的科研和发展工作,为全球用户提供一颗又一颗高质量,低成本的硅晶晶振.; 阅读（70）标签：

[关于我们]NDK晶振集团更新新型32.768K晶振型号NX2012SE晶振2018年08月03日 17:56: 日本电波工业株式NDK晶振会社作为压电石英晶体元器件、贴片晶振、有源晶振、压电陶瓷谐振器、石英晶振器件的专业生产厂家，以“通过对客户的服务，为社会繁荣和世界和平作出贡献”的创业理念为基础于1948年成立。; 阅读（91）标签：NDK晶振|NX2012SE晶振|32.768K

[关于我们]SiTime晶振为即将来临的5G网络时刻做好MEMS振荡器支持准备2018年07月23日 11:09: SITIME晶振公司成立于美国的佛罗里达州,几十年来专注于MEMS可编程振荡器的开发,设计,科研,生产和营销等活动,在MEMS(微机电系统)技术,模拟CMOS电路设计和开发方面具有深厚的技术专长,并具有成本效益的组装和测试.SiTime公司主打产品是可编程的谐振器和振荡器,大致分为KHZ和MHZ两个级别,这次推出的5G晶振,是温补晶振系列的,而且都拥有LVDS,LV-PECL,HCSL,LVCMOS等差分输出信号,无论是性能还是封装都属于高端高规格.; 阅读（49）标签：

[关于我们]英国Golledge晶振公司新产品预热2018年07月14日 11:20: 国内的企业和工厂采购进口晶振时,大部分都会选择名气较大的日系,台产和美国晶振,也会有部分的生产厂家喜欢使用欧洲进口的石英晶振,英国的Golledge晶振在亚洲的知名度不高,但在欧洲和美洲的影响力不容小觑.1990年成立的Golledge公司,在短短不到30年的时间里,就成为英国最具有价值的频率控制元器件制造商,掌握着当今世界上最先进的石英水晶组件生产技术.凭借着在互联网上的优势,和无质量问题的石英晶振,Golledge公司很快就在业界中脱颖而出,领先整个英国.; 阅读（88）标签：

[压电石英晶体技术资料]石英晶体振荡器与MEMS超级TCXO晶振的动态性能比较2018年07月11日 09:48: 总之，Elite Platform SuperTCXOs在需要精确和稳定定时基准的应用中提供了比基于quartzbs的TCXOs更高性能、更稳定和更可靠的替代方案。借助双MEMS架构和温度传感技术，精英平台设备感知和补偿温度瞬变比基于石英的TCXO晶振快得多。; 阅读（92）标签：TCXO晶振|石英晶体振荡器|石英晶振|SITIME晶振

[压电石英晶体技术资料]SITIME晶振无噪声温度补偿的双MEMS振荡器温度传感技术2018年07月10日 09:14: SITIME晶振集团在生产石英晶体振荡器,MEMS振荡器,硅晶振等方面是行业的领先者,其技术也是无法超越的,是频率元件制造商的争先效仿对象,SiTime石英晶体振荡器可编程架构使最灵活的产品具有更多的特性和超快的领导时间.为电子产品的微型化提供了支持,它提供了行业中最小的包的定时解决方案; 阅读（99）标签：SITIME晶振|MEMS振荡器|温度补偿晶振

[压电石英晶体技术资料]论MEMS振荡器与石英晶体振荡器的电磁敏感性比较谁更胜一筹2018年07月09日 11:23: SiTime差分晶振MEMS振荡器的性能优于竞争的差分MEMS和石英振荡器，最高可达35db，相当于图5所示对辐射场的抗扰度提高了54倍。如图6所示，SiTime单端振荡器的性能比基于quartzbise的振荡器高出12db，或者说是辐射场抗扰度的4倍。这是因为SiTime MEMS振荡器的初级噪声杂散幅度低于石英振荡器。因此，根据等式2计算为平方和的根的平均杂散功率很大; 阅读（79）标签：MEMS振荡器|SITIME晶振|石英晶体振荡器

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