CEOB2B晶振平台

频率:32.768KHZ

尺寸:2.5*2.0mm

小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体振荡器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

频率:1~80MHZ

尺寸:1.6*1.2mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,1612晶振产品被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

频率: 1~220MHz   尺寸3.2*2.5mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 25~322.265MHz   尺寸3.2*2.5mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 220~625MHz   尺寸3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 1~220MHz   尺寸3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 25~212.5MHz   尺寸3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 119.342~137MHz   尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 1~110MHz   尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 1~110MHz   尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 1~80MHz   尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 1~110MHz   尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 1~200MHz   尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 115~137MHz  尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.通过将硅的固有优势与SiTime晶振的专业技术结合起来,我们正在开发具有更多特性、高性能和无与伦比的优点的最具创新性的计时产品石英贴片晶振,石英晶体振荡器.

频率: 115~137MHz  尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.通过将硅的固有优势与SiTime晶振的专业技术结合起来,我们正在开发具有更多特性、高性能和无与伦比的优点的最具创新性的计时产品石英贴片晶振,石英晶体振荡器.

频率: 1~110MHz  尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.通过将硅的固有优势与SiTime晶振的专业技术结合起来,我们正在开发具有更多特性、高性能和无与伦比的优点的最具创新性的计时产品石英贴片晶振,石英晶体振荡器.

频率: 1~110MHz  尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.通过将硅的固有优势与SiTime晶振的专业技术结合起来,我们正在开发具有更多特性、高性能和无与伦比的优点的最具创新性的计时产品石英贴片晶振,石英晶体振荡器.

频率: 125~150MHz   尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 1~110MHz   尺寸:3.0*3.5mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。