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中国台产晶振 :: 泰艺晶振TAITIENcrystal; TXC晶振TXCcrystal; 鸿星晶振HOSONICcrystal; 希华晶振SIWARDcrystal; 加高晶振HELEcrystal; 百利通亚陶晶振DiodesCrystal; 嘉硕晶振TSTcrystal; 津绽晶振NSKcrystal; 玛居礼晶振MERCURYcrystal; 应达利晶振Interquip Crystal; AKER晶振; NKG晶振NKGCrystal

欧美石英晶振 :: CTS晶振CTScrystal; 微晶晶振Microcrystal; 瑞康晶振RakonCrystal; 康纳温菲尔德ConnorWinfield; 高利奇晶振GolledgeCrystal; Jauch晶振JauchCrystal; AbraconCrystalAbraconCrystal; 维管晶振VectronCrystal; ECScrystal晶振ECScrystal; 日蚀晶振ECLIPTEKcrystal; 拉隆晶振RaltronCrystal; 格林雷晶振GreenrayCrystal; SiTimeCrystalSiTimeCrystal; IDTcrystal晶振IDTcrystal; Pletronics晶振PletronicsCrystal; StatekCrystalStatekCrystal; AEK晶振AEKCrystal; AEL晶振AELcrystal; Cardinal晶振Cardinalcrystal; Crystek晶振Crystekcrystal; Euroquartz晶振Euroquartzcrystal; 福克斯晶振FOXcrystal; Frequency晶振Frequencycrystal; GEYER晶振GEYERcrystal; ILSI晶振ILSIcrystal; KVG晶振KVGcrystal; MMDCOMP晶振MMDCOMPcrystal; MtronPTI晶振MtronPTIcrystal; QANTEK晶振QANTEKcrystal; QuartzCom晶振QuartzComcrystal; QuartzChnik晶振QuartzChnikcrystal; SUNTSU晶振SUNTSUcrystal; Transko晶振Transkocrystal; WI2WI晶振WI2WIcrystal; 韩国三呢晶振SUNNY Crystal; ITTI晶振ITTICrystal; Oscilent晶振OscilentCrystal; ACT晶振ACTCrystal; Lihom晶振LihomCrystal; Rubyquartz晶振RubyquartzCrystal; SHINSUNG晶振SHINSUNGCrystal; PDI晶振PDICrystal; MTI-milliren晶振MTImillirenCrystal; IQD晶振IQDCrystal; Microchip晶振MicrochipCrystal; Silicon晶振SiliconCrystal; 富通晶振FortimingCrystal; 科尔晶振CORECrystal; NIPPON晶振NIPPONCrystal; NIC晶振NICCrystal; QVS晶振QVSCrystal; Bomar晶振BomarCrystal; 百利晶振BlileyCrystal; GED晶振GEDCrystal; 菲特罗尼克斯晶振FiltroneticsCrystal; STD晶振STDCrystal; Q-Tech晶振Q-TechCrystal; 安德森晶振AndersonCrystal; 文泽尔晶振WenzelCrystal; 耐尔晶振NELCrystal; EM晶振EMCrystal; 彼得曼晶振PETERMANNCrystal; FCD-Tech晶振FCD-TechCrystal; HEC晶振HECCrystal; FMI晶振FMICrystal; 麦克罗比特晶振MacrobizesCrystal; AXTAL晶振AXTALCrystal; ARGO晶振; Skyworks晶振; Renesas瑞萨晶振

有源晶振 :: 石英晶体振荡器; 温补晶振; 压控晶振; VC-TCXO晶振; 差分晶振; 32.768K有源; 恒温晶振

贴片晶振 :: 5070晶振; 6035晶振; 5032晶振; 3225晶振; 2520晶振; 2016晶振; 1612晶振; 1210晶振; 8045晶振

32.768K晶振 :: 10.4x4.0晶振; 8.0x3.8晶振; 7.1x3.3晶振; 7.0x1.5晶振; 5.0x1.8晶振; 4.1x1.5晶振; 3.2x1.5晶振; 2.0x1.2晶振; 1.6x1.0晶振

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: Crystek晶振,压控晶振,CVHD-575晶振,7050进口晶振

频率:20~54.24MHZ

尺寸:7.0*5.0mm

进口晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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: Crystek晶振,有源晶振,CCHD-957晶振,HCMOS晶振

频率:10~50MHZ

尺寸:14.2*.14mm

石英晶体振荡器,有源晶振,该产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊盘,及IR回流焊盘(无铅对应),为无铅产品,小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.

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: Crystek晶振,有源晶振,CCHD-575晶振,OSC晶振

频率:12~125MHZ

尺寸:7.0*5.0mm

有源晶振,是只石英晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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: Cardinal晶振,MEMS晶振,CJAC晶振,可编程振荡器

频率:10~250MHZ

尺寸:2.5*2.0mm

有源晶振,是只进口晶振本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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: Cardinal晶振,有源晶振,CC85晶振,金属面SMD晶振

频率:13.7~166MHZ

尺寸:7.0*5.0mm

有源晶振,是只石英晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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: GEYER晶振,温补晶振,KXO-83晶振,有源5032晶振

频率:12~26MHZ

尺寸:5.0*3.2mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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: GEYER晶振,压控晶振,KXO-75晶振,贴片有源晶振

频率:1.544~77.76MHZ

尺寸:7.0*5.0mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动HCMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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: GEYER晶振,有源晶振,KXO-V99晶振,智能手机晶振

频率:1~200MHZ

尺寸:5.0*3.2mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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: 格耶晶振,有源晶振,KXO-400晶振,OSC插件晶振

频率:0.5~100MHZ

尺寸:20.8*13.2mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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: Frequency晶振,石英晶体振荡器,FT1晶振,HCMOS输出OSC晶振

频率：0.5MHz -165 MHz 尺寸：7.0*5.0*2.0mm

目前的VC-TCXO采用了离子刻蚀调频技术：比目前一般使用的真空蒸镀方式调频，主要在产品参数有以下提升：１.微调后调整频率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.产品的激励功率相关性参数有大幅提升；３.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内

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: Frequency晶振,石英晶体振荡器,FTZ1晶振,HCMOS输出晶体振荡器

频率：0.5MHz-125 MHz 尺寸：2.5*2.0*1.0mm

小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了，高精密点胶技术，晶片胶点的位置、大小：位置准确度以及胶点大小一致性，通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内，确保TCXO晶体产品精度，稳定性能良好发挥功能。

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: 爱普生晶振,有源晶振,SG-8002CE晶振

频率:1~125MHz 尺寸:3.2*2.5mm 有源晶振,是指石英晶振本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选3.0,V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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: 爱普生晶振,温补晶振,TG5032SFN晶振

频率:10~50MHz 尺寸:5.0*3.2mm 有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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: 爱普生晶振,温补晶振,TG5032CBN晶振

频率:10~50MHz 尺寸:5.0*3.2mm 有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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: 爱普生晶振,温补晶振,TG5032CAN晶振

频率:10~50MHz 尺寸:5.0*3.2mm 温补晶振(TCXO)温度补偿振荡器基本解决方案,CMOS输出,输出频率10MHz到50MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用：SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅标准.
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: 爱普生晶振,温补晶振,TG2520SBN晶振

频率:13~55MHz 尺寸:2.5*2.0mm 有源晶振是指晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,以应对不同IC产品需要.
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: 爱普生晶振,恒温晶振,OG1409CAN晶振

频率:20MHz 尺寸:14.6*9.7mm 有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应).
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: 爱普生晶振,温补晶振,TG- 5035CE晶振

频率:13~52MHz尺寸:3.2*2.5mm 有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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: KDS晶振,DSV753HV晶振,OSC振荡器

频率:170~230MHz 尺寸:5.0*7.0mm
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
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: SITIME晶振,SiT9366晶振,MEMS振荡器

频率: 1~220MHz 尺寸3.2*2.5mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。
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