CEOB2B晶振平台

由于频率测定可以达到很高的精度,估计检测限可达10-12g,因此利用这一特性,振动的<b>石英晶振b>晶体可以制成非常灵敏的质量检测器一石英晶体微天平( quartz crystal microbalance,QCM)。

对于指定石英晶振晶片,fo、A、pμ、Hμ均为常数,因而,△f与△m的绝对值成正比,负号表示表面银电极层质量的增加,会引起石英晶体谐振频率的减少;而表面银电极层质量的减少,会引起石英晶体谐振频率的增加。即:增加银层质量和减少银层质量两种方法都可以改变石英晶振的谐振频率。

在前面的文章中有介绍过石英晶体谐振器的基本结构、原理、应用,以及与石英晶振相关的一些电性能参数.也有讲到过多种<b>石英晶振b>频率微调技术.但是现有的三种频率微调技术均有各自的缺陷,而采用激光频率微调技术就可以克服掉这些缺陷.

非直接接触式的激光频率微调并不会造成晶片表面温升过高,因而不会产生蒸发频率微调技术和溅射频率微调技术中的膜层易被氧化的问题.同时,非接触式加工方法,克服了溅射频率微调技术法中存在的<b>晶振b>晶片表面电荷积累问题;并且,由于激光具有高度的方向性其光斑只有几平方毫米,最小可达微米数量级,因而移动方便,定位准确,可以用于多片同时频率微调,这就克服了离子束刻蚀频率微调的生产率低的问题。

此外,激光频率微调技术还具有许多其他方案不可代替的优点:结合成熟的激光加工工艺和频率检测工艺的新技术,拥有较高的频率微调精确度;并且生产效率高,经济效益好,有很大的实用价值.

激光加工的灵活性,允许加工成任意的图形,这就对其应用范围没有限制,可以应用于各种形状的石英晶振,<b>贴片晶振b>。并且,&nbsp;激光频率微调与计算机技术相结合,可实现自动控制,是现代化大生产的发展趋势。综合以上,本课题选用了代表未来发展趋势的激光频率微调技术来对石英晶振进行频率微调。

因而,论文的主要研究任务就在于:

(1)从理论和实验两个方面,证实激光用于<b>石英晶振b>频率微调的可行性,并获取定量的刻蚀数据。

(2)从理论方面,研究激光刻蚀以及激光损伤的机理,从而尽可能的减小激光刻蚀对于石英晶振晶片可能存在的影响。

(3)通过反复实验,探索激光刻蚀工艺研究,寻找激光刻蚀参数、工艺与刻蚀结果之间的定性、定量关系,增强激光刻蚀的可操作性和可控制性。

(4)在以上研究的基础上,进行激光刻蚀系统的研究。包括采样系统、数据处理系统、控制系统等整个系统的设计。

石英晶振激光频率微调技术就是用激光照射或扫描<b>石b><b>英晶振b>晶体表面电极膜层,使其气化的方法对石英晶体谐振频率进行微调。用高速频率动态采集系统对石英晶体谐振频率进行采集作为反馈信号,控制激光输出参数.

缺点:(1)激光频率微调之后,会对晶振电性能参数产生一定影响。(2)激光频率微调后<b>石英晶振b>晶片表面并不是均匀一致的,而是凸凹不平的。<br />

优点:(1)由于激光束聚焦激光微调精度高,如激光调阻精度可达0.01%0.002%,激光频率微调精度可达5ppm;

(2)激光束易于导向、聚焦,实现各方向变换,极易与计算机系统配合,因此它是一种极为灵活的自动化加工方法;

(3)激光频率微调过程中,激光束能量密度高,加工速度快,并且是局部加工,因此,其热影响区域小,工件热变形小,后续加工量小。

(4)同离子束刻蚀频率微调一样,石英<b>贴片晶振b>激光频率微调也是形成洁净的单层膜,可以提高频率特性与结合力;

(5)还可以对多种金属、非金属加工,特别是加工微电子工业中的高硬度、高脆性及高熔点的材料

(6)激光束移动准确方便,可以实现多石英晶振片同时微调,生产效率高,加工质量稳定可靠、经济效益好;

陷波<b>滤波器b>模型,通过传输频率和其他波段的接收频率信号的衰减,位于功率放大器之后.村田已批量生产大约800MHz频率陷波滤波器,但这次是必要的商业化的新的陷波滤波器的1.8或1.9GHz高频率.一般来说,更高的频率,更困难的是设计的陷波滤波器;然而,产品已经通过村田的独特的电路设计技术,充分利用和电磁场仿真软件.

假设在<b>石英晶振b>中,对应于能态E2的集居数为N2对应于能态E1的集居数为N1,一个平面波对应的光子通量正沿着物质的轴向Z传播。由于受激吸收和受激辐射而产生的光子通冕的改变为:dF=oF(N2-N1)dZ

它表示:如果N2>N1,则dF/dZ>0。石英晶振起放大作用。如果N2<N1,&nbsp;则dF/dz<0,石英晶振起衰减作用。在热平衡条件下,各能态的集居数是按玻尔兹曼分布,N2<N1所以,晶振总是以吸收为主。如果在特定情况下N2>N1。该石头晶体的受激辐射作用大于受激吸收作用,该物质就可以产生更多的光子通量而作为光放大器。这种特殊状态称之集居数反转,指与通常状态的集居数分布不同。

按照业内的通用分类，压电晶体大致可分为：石英<b>晶振b>，陶瓷晶振两种。其中石英晶振中又有许多的小分类，如：无源晶体，有源晶振，圆柱晶振，贴片晶振等等。

<b>晶振b>制造行业的发展水平的因素不仅是自身的发展，同事与整个电子信息产业链中的地位与作用有着密切关系。就石英晶振制造业在整个电子信息产业链中所占据的地位和作用而言，在整个产业链中居于重要的地位，起到带动整个产业发展的作用

电子科技发展快速的今天，不仅国产晶振厂家品牌如雨后春笋不断涌出，在我国晶振市场活跃的进口晶振厂家品牌也数不胜数，就那些叫得上号的<b>晶振b>品牌就有：日本的KDS晶振、爱普生晶振、精工晶振、西铁城晶振、京瓷晶振、NDK晶振、村田晶振，美国的西迪斯CTS晶振、宝岛台产晶振中的晶技TXC晶振、鸿星晶振、泰艺晶振等，这些晶振品牌中没有谁家不生产温补晶振的，并且一些进口晶振生产厂家还是主要以事业晶体振荡器出名的。

&nbsp;在前面的文章中我们有提到关于石英晶振磁控溅射技术原理磁控溅射是在真空条件下导入一定压力的惰性气体(Ar),阴阳极间形成一定强度的电场,并引入强磁场施加影响,使被阳离子轰击而溅射出的靶材金属粒子加速射向欲镀覆基片表面。那么接下来CEOB2B晶振平台将要说的是<b>石英晶振b>磁控溅射频率微调技术应用及优缺点分析。

在真空等离子体气氛中,氩离子轰击银靶,溅射出高能银粒子射向晶振晶片表面,从而增加表面银电极的厚度,进而改变石英晶体谐振器的谐振频率。其装置示意图如图1.3所示。与蒸发频率微调法类似,磁控溅射频率微调在对<b>石英晶体b><b>谐振器b>进行频率微调时,也分为粗调和细调两步进行。

石英晶振磁控溅射频率微调的优、缺点

优点:

(1)与蒸发频率微调法相比,溅射离子比蒸发原子或分子的平均能量大数十倍,提高了表面原子迁移率及体扩散,使膜层性能及附着力增强。

缺点:

(1)晶振磁控溅射镀覆设备价格昂贵,设备操作、维护复杂。

(2)对于靶材——银的利用率低,最高只能达到50%。

(3)与石英<b>贴片晶振b>蒸发频率微调法类似,粗调后的膜面已暴露过大气,易被氧化,并且使得表面落上灰尘、杂质颗粒,而细调新镀膜层又较薄,导致膜层结合力差,&nbsp;易产生脱焊、固熔断线问题。这同样也是磁控溅射频率微调技术的致命缺点。

(4)由于离子对阴极靶材的轰击,使靶材表面溅射出二次电子,这些电子经等离子体后,易堆积在阳极表面,使表面形成电荷积累,无法再继续沉积。

可见,以上两种方法都无法满足大规模工业生产和激烈的市场竞争的需要更能适应生产需求的新型工艺呼之欲出。

在国内外针对石英晶振生产工艺和理论研究做出了很多验证,主要有三种技术,最早出现的是蒸发沉积和磁控溅射沉积表面电极以增加晶振质量,进而微调<b>晶振b>的谐振频率。随着研究的不断进展,自20世纪80年代中期开始出现关于离子束刻蚀石英晶振频率微调技术的研究.下面CEOB2B晶振平台所要讲的是有关石英晶振蒸发频率微调技术的优缺点对比.

优点:

(1)设备简单,操作容易;(2)不会造成频率漂移,对实时测量影响较小。

缺点:

(1)镀层与基片的结合力差(2)坩埚容积小,不可能长时间、连续工作;(3)材料浪费,由于银的价格昂贵,而每次蒸发到基片表面上的材料不足30%,因而造成很大的浪费.

(4)初次镀银电极后的石英<b>贴片晶振b>膜面已暴露过大气,使得表面落上灰尘、杂质颗粒,再加上银在高温时易被氧化,而微调新镀膜层又较溥,导致膜层结合力差, 易产生脱焊、固熔断线问题。这是蒸发沉积法进行频率微调的致命缺点,也是在实际生产中生产率低下的主要因素。膜层示意图如图1.2所示。<br />

磁控溅射频率微调技术:溅射技术包括磁控溅射、直流溅射、射频溅射等多种,目前广泛应用于<b>石英晶振b>频率微调的溅射技术是磁控溅射技术。

磁控溅射技术原理:磁控溅射是在真空条件下导入一定压力的惰性气体(Ar),阴阳极间形成一定强度的电场,并引入强磁场施加影响,使被阳离子轰击而溅射出的靶材金属粒子加速射向欲镀覆基片表面。